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- [发明专利]一种基于巨磁阻技术的高精度弱磁场传感器及其制备方法-CN200810020450.1无效
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王莹;李素云
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安徽大学
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2008-03-06
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2009-09-09
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G01R33/09
- 本发明公开了一种纵向结构的巨磁阻传感器及其制备方法。传感器包括基片(1)和其上的绝缘层(2)、夹裹有三明治结构巨磁阻薄膜(4)，特别是巨磁阻薄膜(4)外套装有线圈(8)，线圈(8)和巨磁阻薄膜(4)均由外层绝缘柱(7)裹覆；方法为先后分别多次使用掩模、光刻或离子刻蚀、直流磁控溅射、射频磁控溅射或等离子增强化学气相淀积、半导体薄膜加工工艺于基片上进行刻制、溅射和生成出线圈金属环(5)、金属短棒(6)，金属环(5)、金属短棒(6)周期性排列构成巨磁阻薄膜(4)外置线圈，工作时，恒定电流从电流流入端I流入微线圈，从电流流出端II流出，从而为巨磁阻薄膜(4)提供高精度的偏置磁场，结合巨磁阻薄膜(4)相应度高的特点，利用上述原理制备的纵向结构的巨磁阻传感器具有高的精度和灵敏度
- 一种基于磁阻技术高精度磁场传感器及其制备方法
- [发明专利]CPP结构的磁阻效应设备和磁头滑块-CN03822880.7无效
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大岛弘敬
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富士通株式会社
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2003-03-27
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2005-10-19
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H01L43/08
- 一种CPP结构的磁阻效应设备(35)，其中沿着磁阻薄膜(44)前部边缘横过磁阻薄膜(44)的第一区域(45a)在磁区控制薄膜(45)上形成，具有第一磁场强度的第一偏磁场在第一区域(45a)建立，沿着磁阻薄膜(44)后部边缘横过磁阻薄膜(44)的第二磁场强度的第二区域(45b)形成，具有第二磁场强度的第二偏磁场在第二区域(45b)建立，该第二磁场强度大于第一磁场强度，并且第二区域(45b)的厚度大于第一区域在这样一种CPP结构磁阻效应设备(35)中，具有大电流值的感测电流可以流过磁阻效应薄膜(44)。进一步，可以确保磁阻效应薄膜(44)的足够高的灵敏度。
- cpp结构磁阻效应设备磁头
- [实用新型]锑－铟系半导体磁阻薄膜磁头-CN99236243.1无效
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黄钊洪
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华南师范大学
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1999-06-04
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2000-05-24
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G11B5/127
- 本实用新型是锑－铟系半导体磁阻薄膜磁头,它由外壳、磁阻薄膜、基片、铁磁性物质薄片、双面敷铜板、垫圈、永磁体、内连线、外引线、环氧树脂安装连接构成,其连接关系为磁阻薄膜通过真空热蒸发或溅射沉积粘附在基片上构成磁阻元件,铁磁薄片分别与基片及双面敷铜板一面粘接,垫圈垫于外壳与磁阻薄膜之间,永磁体与敷铜板相连,外引线一端焊接于敷铜板,另一端穿出外壳外。磁阻薄膜与永磁体间夹进铁磁薄片。本实用新型制作工艺简单、成本低、灵敏度高、便于批量生产和推广应用。
- 半导体磁阻薄膜磁头
- [发明专利]薄膜磁头-CN96111201.8无效
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高田昭夫;柴田拓二;本田忠行
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索尼株式会社
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1996-07-25
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1997-04-30
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G11B5/39
- 一种在磁稳定性方面优越并能产生高重放功率的磁阻效应薄膜磁头。该薄膜磁头带有层叠在一起以形成一个磁阻效应元件3的一个连一层抗磁膜或一层硬磁膜在内的磁阻效应稳定层11、一个无磁绝缘层12及一个连一层磁阻效应膜在内的磁阻效应层13。该薄膜磁头还带有一个布置在磁阻效应元件3的一个横向表面上的无磁绝缘层4和一对连接到磁阻效应元件3上部表面两端上的磁阻效应层13上的电极。利用磁阻效应层13的磁阻效应探测重放信号。
- 薄膜磁头
- [发明专利]一种巨磁阻抗薄膜材料及制备方法-CN201110176719.7无效
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钟智勇;刘爽;张怀武;唐晓莉;苏桦;贾利军;白飞明
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电子科技大学
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2011-06-28
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2011-11-02
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H01L43/10
- 一种巨磁阻抗薄膜材料及其制备方法，属于功能材料技术领域。巨磁阻抗薄膜材料由衬底基片表面彼此相间的NiFe合金薄膜层和掺Cr的NiFe合金薄膜层形成多层薄膜体系，其中NiFe合金薄膜层Ni、Fe之间的质量比为(80～81)∶(19～20)；掺Cr的NiFe合金薄膜层Ni、Fe之间的质量比为(80～81)∶(19～20)，且掺杂元素Cr的质量占Ni、Fe和Cr质量总和的1％～8％；NiFe合金薄膜层和掺Cr的NiFe合金薄膜层厚度不超过200纳米、且数量级相当，整体厚度达到微米量级本发明的巨磁阻抗薄膜材料采用具有不同饱和磁化强度的磁性层间隔而成，相比磁性层与非磁性层形式的错层薄膜材料体系，其饱和磁化强度更大，从而可获得更大的巨磁阻抗效应，为制备巨磁阻抗微传感器提供了一种性能更为优异的材料选择
- 一种磁阻薄膜材料制备方法
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