[发明专利]一种包含“线中点”的复合型纳米线核壳结构

摘要

本发明属于半导体光电子技术学领域，涉及一种包含“线中点”的复合型纳米线核壳结构，在衬底层上由下至上依次包括：一GaAs（111）B衬底材料，该衬底用于在其上外延生长纳米线各段材料；一掩膜层，用于形成图型衬底，为纳米线生长提供孔隙并覆盖住纳米线之间的间隙，为SiO₂材料；一下缓冲段纳米线，为GaAs材料；一纳米线包层，与GaAs段形成径向异质结，为In_xGa_1‑xAs材料（0.01≤x≤1）；一下应变补偿段，在GaAs下缓冲段与In_xGa_1‑xAs包层之上，材料为GaAs_yP_1‑y（0.01≤y≤1）；一下台阶段，材料为GaAs；一“量子点”段，材料为In_xGa_1‑xAs（0.01≤x≤1）；一上台阶段，材料为GaAs；一上应变补偿段，材料为GaAs_yP_1‑y（0.01≤y≤1）；一上覆盖段，材料为GaAs；一纳米线包层，材料为GaAs。

主权项

1.一种包含“线中点”的复合型纳米线核壳结构，其特征在于，在衬底层上由下至上依次包括： 一（111）B面的GaAs衬底材料，该衬底用于在其上外延生长纳米线各段材料；一掩膜层，用于形成图型衬底，为纳米线生长提供孔隙并覆盖住纳米线之间的间隙，为SiO2材料；一下缓冲段纳米线，为GaAs材料； 一纳米线包层，与GaAs段形成径向异质结，为InxGa1‑xAs材料（0.01≤x≤1）；一下应变补偿段，材料为GaAsyP1‑y（0.01≤y≤1）；一下台阶段，材料为GaAs；一“量子点”段，材料为InxGa1‑xAs（0.01≤x≤1）；一上台阶段，材料为GaAs；一上应变补偿段，材料为GaAsyP1‑y（0.01≤y≤1）；一上覆盖段，材料为GaAs；一纳米线包层，材料为GaAs。