[发明专利]制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201811072278.4 | 申请日： | 2018-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN109509710A | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 津村一道;东和幸 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造半导体装置的方法包含：在第一绝缘区域和紧邻所述第一绝缘区域的第一金属区域上形成第一金属膜，其中所述第一金属膜包括不同于所述第一金属区域的所述金属的金属；在第二绝缘区域和紧邻所述第二绝缘区域的第二金属区域上形成第二金属膜，其中所述第二金属膜包括不同于所述第二金属区域的所述金属的金属；使所述第一金属膜与所述第二金属膜相互接触；和热处理所述第一衬底与所述第二衬底，且由此将所述第一金属区域与所述第二金属区域相互电连接且同时在所述第一绝缘区域与所述第二绝缘区域之间形成绝缘界面膜。 | ||
| 搜索关键词： | 金属区域 绝缘区域 金属膜 金属 半导体装置 衬底 热处理 电连接 界面膜 绝缘 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，其包括：提供包括第一表面的第一衬底，所述第一衬底包含第一绝缘区域和紧邻所述第一绝缘区域的至少一个第一金属区域；在所述第一绝缘区域和所述第一金属区域上形成第一金属膜，其中所述第一金属膜包括不同于所述第一金属区域的金属的金属；提供包括第二表面的第二衬底，所述第二衬底包含第二绝缘区域和紧邻所述第二绝缘区域的至少一个第二金属区域；在所述第二绝缘区域和所述第二金属区域上形成第二金属膜，其中所述第二金属膜包括不同于所述第二金属区域的金属的金属；使所述第一金属膜与所述第二金属膜相互接触，使得所述第一衬底的所述第一表面面向所述第二衬底的所述第二表面；以及热处理所述第一衬底和所述第二衬底，且由此将所述第一金属区域与所述第二金属区域相互电连接且同时在所述第一绝缘区域与所述第二绝缘区域之间形成绝缘界面膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东芝存储器株式会社，未经东芝存储器株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811072278.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
