[发明专利]图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201811067385.8 | 申请日： | 2018-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN109065561A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 吴明;吴孝哲;林宗贤;吴龙江;熊建锋;薛超 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 武振华;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有逻辑器件；金属互连层，位于所述半导体衬底的表面，所述金属互连层内具有金属互连结构；多个光电转换块，位于所述金属互连层的表面，每个光电转换块包括堆叠的至少三层光电转换结构，每层光电转换结构均包括光电转换层以及连接结构，其中，不同的光电转换层经由所述连接结构和金属互连结构电连接至不同的逻辑器件。本发明方案可以形成更多的光生载流子，减少对半导体衬底的损伤，降低生产成本，减少工艺复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 金属互连层 图像传感器 半导体 光电转换结构 金属互连结构 光电转换层 光电转换块 连接结构 逻辑器件 工艺复杂度 光生载流子 电连接 堆叠 三层 损伤 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有逻辑器件；金属互连层，位于所述半导体衬底的表面，所述金属互连层内具有金属互连结构；多个光电转换块，位于所述金属互连层的表面，每个光电转换块包括堆叠的至少三层光电转换结构，每层光电转换结构均包括光电转换层以及连接结构，其中，不同的光电转换层经由所述连接结构和金属互连结构电连接至不同的逻辑器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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