[发明专利]用于针对半导体衬底的化学气相沉积过程的装置和方法

摘要

一种CVD反应器，包括安放了第一基座和第二基座的沉积室，该第一基座具有用于接纳第一衬底的洞，该第一衬底具有前表面和后表面，该第二基座具有用于接纳第二衬底的洞，该第二衬底具有前表面和后表面，并且该第一基座和该第二基座被设置成使得该第一衬底的前表面与该第二衬底的前表面相对，从而形成气流通道的一部分。

主权项

1.一种CVD反应器，包括：安放了第一基座和第二基座的沉积室；所述第一基座被配置成接纳第一衬底，所述第一衬底包括前表面和后表面；所述第二基座被配置成接纳第二衬底，所述第二衬底包括前表面和后表面；以及所述第一基座和所述第二基座被设置成使得所述第一衬底的前表面与所述第二衬底的前表面相对，从而形成气流通道的一部分。