[发明专利]用于针对半导体衬底的化学气相沉积过程的装置和方法

权利要求书

1.一种CVD反应器，包括：

安放了第一基座和第二基座的沉积室，所述沉积室包括至少一个进气口和至少一个出气口；

所述第一基座被配置成接纳第一衬底，所述第一衬底包括前表面和后表面，所述第一基座包括前表面和与所述前表面相对的后表面，其中所述第一基座的所述前表面包括被配置成接纳所述第一衬底的凹槽；

所述第二基座被配置成接纳第二衬底，所述第二衬底包括前表面和后表面，所述第二基座包括前表面和与所述前表面相对的后表面，其中所述第二基座的所述前表面包括被配置成接纳所述第二衬底的凹槽；

其中所述第一基座被设置在所述第二基座的上面，使得所述第一基座的所述前表面垂直地在所述第二基座的所述前表面的上面并且与之相对，从而形成在所述至少一个进气口和所述至少一个出气口之间的水平气流通道的一部分，并且所述第一衬底的所述前表面被配置成垂直地在所述第二衬底的所述前表面的上面并且与之相对，从而形成在所述至少一个进气口和所述至少一个出气口之间的所述水平气流通道的另一部分，

所述第一基座和所述第一衬底的所述前表面以及所述第二基座和所述第二衬底的所述前表面被配置成朝向彼此倾斜，使得所述水平气流通道从所述至少一个进气口朝向所述至少一个出气口逐渐变窄，

其中所述第一基座的中心与所述第二基座的中心相对，

其中所述第一基座的前表面中的凹槽被配置成紧密且固定地接纳所述第一衬底，使得所述第一衬底的后表面与所述第一基座间隔开并且过程气体与所述第一衬底的后表面之间的相互作用被最小化，并且其中所述第二基座的前表面中的凹槽被配置成紧密且固定地接纳所述第二衬底，使得所述第二衬底的后表面与所述第二基座间隔开并且过程气体与所述第二衬底的后表面之间的相互作用被最小化，

其中所述第一基座的前表面和所述第二基座的前表面彼此相对并且对称布置，

其中所述第一基座和所述第二基座中的至少一个的凹槽包括贯穿所述第一基座和所述第二基座中的所述至少一个的中心的孔，还包括耦合到所述第一基座和所述第二基座中的所述至少一个的空心杆，其中所述空心杆耦合到气动装置并且被配置成设置在所述第一衬底和所述第二衬底中的所述至少一个的后表面上，从而提供吸力以改变所述第一衬底和所述第二衬底中的所述至少一个的弓形弯曲的方向和深度。

2.如权利要求1所述的CVD反应器，其中第一和第二基座绕着它们相应的中心轴可旋转。

3.如权利要求1所述的CVD反应器，进一步包括：

被配置为加热第一衬底的至少一个加热元件和被配置为加热第二衬底的至少一个其他加热元件。

4.如权利要求3所述的CVD反应器，其中所述至少一个加热元件或所述至少一个其他加热元件包括感应式螺旋线圈。

5.如权利要求4所述的CVD反应器，其中所述感应式螺旋线圈的每个绕组之间的间距能够变化。

6.如权利要求4所述的CVD反应器，所述至少一个加热元件包括第一感应式加热元件和第一灯加热元件，并且所述至少一个其他加热元件包括第二感应式加热元件和第二灯加热元件。

7.如权利要求6所述的CVD反应器，其中，所述第一感应式加热元件包括具有反射金属涂层的感应式线圈。

8.如权利要求1所述的CVD反应器，其中所述沉积室包括围绕第一和第二基座的侧壁，所述侧壁包括所述至少一个进气口和所述至少一个出气口，所述至少一个进气口和所述至少一个出气口被设置成彼此相对并且与所述气流通道对齐。

9.如权利要求2所述的CVD反应器，进一步包括：

被配置成加热所述第一衬底的至少一个加热元件和被配置成加热所述第二衬底的至少一个其他加热元件，其中

所述至少一个加热元件包括被配置成加热所述第一衬底的第一组一个或多个加热元件；以及

所述至少一个其他加热元件包括被配置成加热所述第二衬底的第二组一个或多个加热元件。