[发明专利]集成电路中的屏蔽在审
| 申请号： | 201811055037.9 | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN109545776A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | N·科莱尔特;B·帕瓦斯;B·W·M·范利普德 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会;布鲁塞尔自由大学 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 亓云;陈斌 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 比利时;BE |
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| 摘要： | 在第一方面，本发明涉及一种集成电路，包括：i.主衬底(100)；ii.可任选地，覆盖主衬底(100)的第一层(200)，该第一层(200)可任选地包括第一晶体管(210)；iii.覆盖主衬底(100)和第一层(200)(若存在)的第二层(500)，该第二层(500)包括第二晶体管(510)；以及iv.屏蔽第二晶体管(510)免受电磁场影响的电磁屏蔽结构(600)，包括：‑底部(610，611)，所述底部在第二晶体管(510)下面，并且被包括在主衬底(100)、第一层(200)(若存在)或第二层(500)中，‑横向定界第二晶体管(510)的一个或多个侧面(620，621，622)，以及‑可任选地，覆盖第二晶体管(510)的顶部(630)；其中底部(610，611)、一个或多个侧面(620，621，622)中的每一者、以及(若存在)顶部(630)各自包括独立地由或导电材料或富陷阱材料组成的至少一个屏蔽元件。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 第一层 主衬 屏蔽 集成电路 覆盖 电磁屏蔽结构 电磁场影响 导电材料 横向定界 屏蔽元件 陷阱材料 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包括：i.主衬底(100)；ii.可任选地，覆盖所述主衬底(100)的第一层(200)，所述第一层(200)可任选地包括第一晶体管(210)；iii.覆盖所述主衬底(100)和所述第一层(200)，若存在，的第二层(500)，所述第二层(500)包括第二晶体管(510)；以及iv.屏蔽所述第二晶体管(510)免受电磁场影响的电磁屏蔽结构(600)，包括：‑底部(610，611)，所述底部在所述第二晶体管(510)下面，并且被包括在所述主衬底(100)、所述第一层(200)，若存在，或所述第二层(500)中，‑横向定界所述第二晶体管(510)的一个或多个侧面(620，621，622)，以及‑可任选地，覆盖所述第二晶体管(510)的顶部(630)；其中所述底部(610，611)、所述一个或多个侧面(620，621，622)中的每一者、以及，若存在，所述顶部(630)，各自包括独立地由或导电材料或富陷阱材料组成的至少一个屏蔽元件。
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