[发明专利]反熔丝结构的制造方法及反熔丝结构在审
| 申请号： | 201811053033.7 | 申请日： | 2018-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110890344A | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种反熔丝结构的制造方法及反熔丝结构，执行第一离子注入工艺，在隔离结构圈起的衬底中形成功能阱及第一底部隔离阱，功能阱自衬底上表面延伸至衬底中，第一底部隔离阱同图形位于功能阱的下方，执行第二离子注入工艺，在与第一离子注入工艺图案互补的衬底中形成侧部隔离阱及第二底部隔离阱，侧部隔离阱自衬底上表面延伸至衬底中并包覆隔离结构，第二底部隔离阱同图形位于侧部隔离阱的下方，第一底部隔离阱、侧部隔离阱和第二底部隔离阱属于相同离子注入类型，和功能阱分属不同离子注入类型，第一底部隔离阱和第二底部隔离阱相连成底部隔离阱组合层，由此能够通过较少的掩膜工艺形成反熔丝结构，从而能够降低反熔丝结构的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 反熔丝 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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