[发明专利]检光二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201811037593.3 | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110880540A | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 黄润杰;周佳祥 | 申请（专利权）人： | 鼎元光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L21/02;H01L31/109;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种检光二极管，包括：一基板，该基板的侧面为一呈斜面的入光面；以及一外延层，设置于该基板的上方。本发明还同时提出一种检光二极管的制造方法，包括：提供一基板；形成一外延层于该基板上；以及使该基板侧边形成一呈斜面的入光面。本发明另提出一种检光二极管的制造方法，包括：提供一基板；形成一蚀刻停止层于该基板上；形成一外延层于该蚀刻停止层上；以及以一药剂蚀刻该基板侧边以形成一呈斜面的入光面。因此，本发明的检光二极管在侧面耦光时具有优良的响应度。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
