[发明专利]检光二极管及其制造方法

说明书

一种检光二极管，包括：一基板，该基板的侧面为一呈斜面的入光面；以及一外延层，设置于该基板的上方。本发明还同时提出一种检光二极管的制造方法，包括：提供一基板；形成一外延层于该基板上；以及使该基板侧边形成一呈斜面的入光面。本发明另提出一种检光二极管的制造方法，包括：提供一基板；形成一蚀刻停止层于该基板上；形成一外延层于该蚀刻停止层上；以及以一药剂蚀刻该基板侧边以形成一呈斜面的入光面。因此，本发明的检光二极管在侧面耦光时具有优良的响应度。

技术领域

本发明涉及一种检光二极管及其制造方法，尤其涉及一种可增加侧面收光的响应度的检光二极管及其制造方法。

背景技术

检光二极管(Photodiode)是一种将光信号转变为电信号的半导体元件，常见应用有太阳能电池、电荷耦合元件(CCD)等。常见的检光二极管有PN型、PIN型、雪崩型(Avalanche)等型式。

以PN型的检光二极管为例，其工作原理是将一PN接面施以一反向偏压以及内建一电场，当光照射在PN接面的空乏区，则光子中的能量可给予一受束缚的电子，使其克服能隙(energy gap)，从价带(valence band)跃升至传导带(conduction band)。电子进入传导带之后，价带中则产生空穴，形成一组电子空穴对，电子空穴受到电场的驱动便产生光电流，并可在外接电路与负载上输出电压，完成了光信号转换成电信号的过程。

然而，现有的检光二极管多为正面耦光及背面耦光，而虽有部分检光二极管可从侧面耦光，仍有收光面积小造成响应度不足的缺点，因此作为光感测器时，未能有效转换来自侧面的光线。

发明内容

因此，有必要提出一种发明以改善上述问题。

本发明为解决现有技术的问题所采用的技术手段为提供一种检光二极管，包括：一基板，该基板的侧面为一呈斜面的入光面；以及一外延层，设置于该基板的上方。

在本发明的检光二极管的一实施例中，其中该入光面与该基板的法线的夹角为25度至75度。

在本发明的检光二极管的一实施例中，其中该入光面与该基板的法线的夹角为30度至60度。

在本发明的检光二极管的一实施例中，其中该入光面与该基板的法线的夹角为45度。

在本发明的检光二极管的一实施例中，还包括一蚀刻停止层，该蚀刻停止层设置于该基板及该外延层之间。

在本发明的检光二极管的一实施例中，还包括一抗反射层，设置于该外延层上方，且该抗反射层为金属合金。

在本发明的检光二极管的一实施例中，其中该金属合金包括Ti、Pt、Au及AuGeNi。

本发明还提供一种检光二极管的制造方法，包括：提供一基板；形成一外延层于该基板上；以及使该基板侧边形成一呈斜面的入光面。

在上述制造方法的一实施例中，其中形成该呈斜面的入光面的方式以机械加工切割而成。

在上述制造方法的一实施例中，其中形成该呈斜面的入光面的方式为先以机械加工切割该外延层的P型半导体层至一预定深度，而后加入一药剂以蚀刻形成该入光面。

在上述制造方法的一实施例中，其中该入光面与该基板的法线的夹角为25度至75度。

在上述制造方法的一实施例中，其中该入光面与该基板的法线的夹角为30度至60度。

在上述制造方法的一实施例中，其中该入光面与该基板的法线的夹角为45度。

在上述制造方法的一实施例中，还包括形成一抗反射层于该外延层上，且该抗反射层为金属合金。

在上述制造方法的一实施例中，其中该金属合金包括Ti、Pt、Au及AuGeNi。