[发明专利]检光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种检光二极管，包括：

一基板，该基板的侧面为一呈斜面的入光面；以及

一外延层，设置于该基板的上方。

2.如权利要求1所述的检光二极管，其中该入光面与该基板的法线的夹角为25度至75度。

3.如权利要求2所述的检光二极管，其中该入光面与该基板的法线的夹角为30度至60度。

4.如权利要求3所述的检光二极管，其中该入光面与该基板的法线的夹角为45度。

5.如权利要求1至4中任一项所述的检光二极管，还包括一蚀刻停止层，该蚀刻停止层设置于该基板及该外延层之间。

6.如权利要求1至4中任一项所述的检光二极管，还包括一抗反射层，设置于该外延层上方，且该抗反射层为金属合金。

7.如权利要求6所述的检光二极管，其中该金属合金包括Ti、Pt、Au及AuGeNi。

8.一种检光二极管的制造方法，包括：

提供一基板；

形成一外延层于该基板上；以及

使该基板侧边形成一呈斜面的入光面。

9.如权利要求8所述的检光二极管的制造方法，其中形成该呈斜面的入光面的方式以机械加工切割而成。

10.如权利要求8所述的检光二极管的制造方法，其中形成该呈斜面的入光面的方式为先以机械加工切割该外延层的P型半导体层至一预定深度，而后加入一药剂以蚀刻形成该入光面。

11.如权利要求8所述的检光二极管的制造方法，其中该入光面与该基板的法线的夹角为25度至75度。

12.如权利要求11所述的检光二极管的制造方法，其中该入光面与该基板的法线的夹角为30度至60度。

13.如权利要求12所述的检光二极管的制造方法，其中该入光面与该基板的法线的夹角为45度。

14.如权利要求8至13中任一项所述的检光二极管的制造方法，还包括形成一抗反射层于该外延层上，且该抗反射层为金属合金。

15.如权利要求14所述的检光二极管的制造方法，其中该金属合金包括Ti、Pt、Au及AuGeNi。

16.一种检光二极管的制造方法，包括：

提供一基板；

形成一蚀刻停止层于该基板上；

形成一外延层于该蚀刻停止层上；以及

以一药剂蚀刻该基板侧边以形成一呈斜面的入光面。

17.如权利要求16所述的检光二极管的制造方法，其中该入光面与该基板的法线的夹角为25度至75度。

18.如权利要求17所述的检光二极管的制造方法，其中该入光面与该基板的法线的夹角为30度至60度。

19.如权利要求18所述的检光二极管的制造方法，其中该入光面与该基板的法线的夹角为45度。

20.如权利要求16至19中任一项所述的检光二极管的制造方法，还包括形成一抗反射层于该外延层上，且该抗反射层为金属合金。

21.如权利要求20所述的检光二极管的制造方法，其中该金属合金包括Ti、Pt、Au及AuGeNi。