[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811033863.3 | 申请日： | 2018-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN109192721A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;潘宇;许高博 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵秀芹;王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，在该半导体器件中，将第一电路器件和第二电路器件设置在上下层叠结构，两者之间可以通过互连线层、接触孔和通孔实现互连，且第一电路器件和第二电路器件可以为具有不同功能的器件，例如为计算功能器件和存储功能器件，从而将计算功能器件和存储功能器件紧密集成在一起，利用通孔实现计算功能器件和存储功能器件之间的信号传输，从而使得信号传输距离缩短，其传输距离能够达到微米级以下，因而相较于现有技术，提高了半导体器件的带宽和能效。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 电路器件 存储功能 计算功能 通孔 信号传输距离 传输距离 互连线层 上下层叠 信号传输 接触孔 微米级 互连 能效 制造 带宽 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上方的第一电路器件；位于所述第一电路器件上方的第一半导体层；位于所述第一半导体层中的第二电路器件；其中，所述第一电路器件和所述第二电路器件通过互连线层、接触孔和通孔实现互连。
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