[发明专利]一种n型太阳能电池制备方法及n型太阳能电池

摘要

本发明公开了一种n型太阳能电池制备方法，可以先在n型衬底层的第一表面设置一个厚度较薄的p型掺杂层，在该p型掺杂层表面可以较为容易的设置轻掺杂区与重掺杂区交替排列的选择性发射极；之后再通过氧化p型掺杂层可以在p型掺杂层表面形成一氧化层，该氧化层可以将制作完成的选择性发射极隔离并保护，同时该氧化层可以降低选择性发射极的复合电流密度；最终再设置n型掺杂层，并最终制备而成n型太阳能电池，从而可以制备出p型掺杂层中具有选择性发射极的n型太阳能电池。本发明还提供了一种n型太阳能电池，同样具有上述有益效果。

主权项

1.一种n型太阳能电池制备方法，其特征在于，所述方法包括：在n型衬底层的第一表面设置p型掺杂层；在所述p型掺杂层表面设置选择性发射极；对设置有所述选择性发射极的所述p型掺杂层进行氧化，以在所述p型掺杂层表面设置一覆盖所述选择性发射极的氧化层；在设置完所述氧化层后，在所述p型衬底层与所述第一表面相对的第二表面设置n型掺杂层；在所述氧化层表面设置与所述选择性发射极相对位，且与所述选择性发射极电连接的第一栅线，并在所述n型掺杂层表面设置第二栅线，以制成所述n型太阳能电池。