[发明专利]位线结构及其制备方法、存储器

摘要

本发明提供了一种位线结构及其形成方法、存储器，所述方法包括：在基底上形成多条间隔排列的位线，在位线的顶部和侧壁上形成隔离材料层，在隔离材料层对应位线侧壁的部分上形成高分子聚合物材料层，然后在高分子聚合物材料层与隔离材料层上形成多孔绝缘材料层，最后执行高温退火工艺，使高分子聚合物材料层分解成气体，隔离材料层隔离气体，以保护位线和基底，并使该气体通过多孔绝缘材料层中的多个孔隙逸出，从而在隔离材料层对应位线侧壁的部分上形成空气隙，空气隙能够减小相邻位线之间的寄生电容，提升器件的性能。