[发明专利]一种硅片的处理方法及装置在审
| 申请号： | 201810995535.5 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109300779A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 尹海鹏;黄卓;周艳方 | 申请（专利权）人： | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 李海波;刘艳丽 |
| 地址： | 225131 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片的处理方法，包括以下步骤：提供硅片，在所述硅片的侧面具有掺杂区域，将激光发生器发出的激光照射到光学系统上，经过光学系统对激光的路线进行改变而照射到硅片的侧面，通过激光烧蚀硅片侧面的方式去除硅片的侧面的掺杂区域的至少一部分。该方法通过烧蚀样品侧面的方式去除侧面的掺杂区域，避免了电池片短路，在不影响电池片光电转换效率的同时保证了电池片正面边缘外观良好。还公开了一种硅片的处理装置，该处理装置设备体积小、能耗低，安全性高、无环境危害。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 侧面 掺杂区域 处理装置 光学系统 去除 光电转换效率 电池片正面 激光发生器 环境危害 激光烧蚀 激光照射 影响电池 电池片 体积小 短路 烧蚀 能耗 照射 激光 保证 | ||
【主权项】：
1.一种硅片的处理方法，包括以下步骤：提供硅片(8)，在所述硅片(8)的侧面具有掺杂区域(85)，将激光发生器(4)发出的激光照射到光学系统(3)上，经过光学系统(3)对激光的路线进行改变而照射到硅片(8)的侧面，通过激光烧蚀硅片(8)侧面的方式去除硅片(8)的侧面的掺杂区域(85)的至少一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
