[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201810972334.3 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109427915B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 杉本雅裕;髙桥勲;四户孝;人罗俊实 | 申请（专利权）人： | 株式会社FLOSFIA |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/12;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 刁兴利;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种具有p型半导体层、n型半导体层和i型半导体层间的良好的接合且半导体特性优异的半导体装置。本发明制造一种半导体装置，所述半导体装置至少包括：n型半导体层，包括第一半导体作为主要成分；i型半导体层，包括第二半导体作为主要成分；以及p型半导体层，包括第三半导体作为主要成分，第一半导体、第二半导体和第三半导体均为具有刚玉结构的氧化物半导体，将得到的半导体装置用于功率器件等。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，至少包括：n型半导体层，包括第一半导体作为主要成分；i型半导体层，包括第二半导体作为主要成分；以及p型半导体层，包括第三半导体作为主要成分，其特征在于，第一半导体、第二半导体和第三半导体均为具有刚玉结构的氧化物半导体。
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