[发明专利]一种像素单元及其制备方法有效
| 申请号： | 201810958479.8 | 申请日： | 2018-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN109285851B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 雷述宇 | 申请（专利权）人： | 宁波飞芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 | 代理人： | 黄小梧 |
| 地址： | 315500 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种像素单元及其制备方法，该方法包括：步骤1，在P型外延层围绕像素单元的边缘注入P型材料形成隔离区；步骤2，在P型外延层的上表面形成多晶硅栅，并对多晶硅栅进行刻蚀，得到传输栅；步骤3，在P型外延层中分两次注入N型材料形成N型掺杂区；步骤4，在P型外延层上部注入N型材料形成悬浮扩散节点。本发明实现了抑制体区串扰的功效，减少了像素单元件以及像素与逻辑电路区间的面积浪费，有效提升填充因子。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 像素 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种像素单元的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，在P型外延层(2)围绕像素单元的边缘注入P型材料形成隔离区(304)；步骤2，在P型外延层(2)的上表面形成多晶硅栅，并对多晶硅栅进行刻蚀，得到传输栅(302)；步骤3，在P型外延层(2)中分两次注入N型材料形成N型掺杂区(403)；步骤4，在P型外延层(2)上部注入N型材料形成悬浮扩散节点(303)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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