[发明专利]一种像素单元及其制备方法

权利要求书

1.一种用于近红外激光探测的像素单元的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，在P型外延层(2)围绕像素单元的边缘注入P型材料形成隔离区(304)；

步骤2，在P型外延层(2)的上表面形成多晶硅栅，并对多晶硅栅进行刻蚀，得到传输栅(302)；

步骤3，在P型外延层(2)中分两次注入N型材料形成N型掺杂区(403)；

步骤4，在P型外延层(2)上部注入N型材料形成悬浮扩散节点(303)；所述步骤1中在P型外延层(2)围绕像素单元的边缘注入P型材料形成隔离区(304)，至少包括两次不同能量的注入；

每次注入P型材料的能量依次增大，每次注入P型材料的剂量相同，每次注入P型材料时的倾斜度相同；

所述步骤3中在P型外延层(2)中分两次注入N型材料时，每次注入N型材料的能量依次增加，每次注入N型材料的剂量依次减小，每次注入N型材料时的倾斜度依次减小。

2.根据权利要求1所述的用于近红外激光探测的像素单元的制备方法，其特征在于，所述P型材料为三族元素离子或三族元素离子的化合物。

3.根据权利要求1所述的用于近红外激光探测的像素单元的制备方法，其特征在于，所述步骤1中在P型外延层(2)围绕像素单元的边缘分四次注入P型材料形成隔离区(304)；

所述分四次注入P型材料时，每次注入P型材料的能量依次增大，每次注入P型材料的剂量相同，每次注入P型材料时的倾斜度相同。

4.根据权利要求1所述的用于近红外激光探测的像素单元的制备方法，其特征在于，所述步骤1中在P型外延层(2)围绕像素单元的边缘注入P型材料形成隔离区(304)，包括：

第一次：注入P型材料的能量为150keV～300keV，注入P型材料的剂量为5×10¹¹cm^-2～1.5×10¹²cm^-2，注入P型材料时的倾斜度为0°～2°；

第二次：注入P型材料的能量为500keV～700keV，注入P型材料的剂量为5×10¹¹cm^-2～1.5×10¹²cm^-2，注入P型材料时的倾斜度为0°～2°；

第三次：注入P型材料的能量为1000keV～1300keV，注入P型材料的剂量为5×10¹¹cm^-2～1.5×10¹²cm^-2，注入P型材料时的倾斜度为0°～2°。

5.根据权利要求1所述的用于近红外激光探测的像素单元的制备方法，其特征在于，所述N型材料为五族元素离子或五族元素离子的化合物。

6.根据权利要求1所述的用于近红外激光探测的像素单元的制备方法，其特征在于，所述步骤3中在P型外延层(2)中分两次注入N型材料形成N型掺杂区(403)，包括：

第一次：注入N型材料的能量为190keV～250keV，注入N型材料的剂量为1×10¹²cm^-2～3.5×10¹³cm^-2，注入N型材料时的倾斜度为3°～7°；

第二次：注入N型材料的能量为300keV～700keV，注入N型材料的剂量为1×10¹¹cm^-2～9×10¹²cm^-2，注入N型材料时的倾斜度为0°～2°。