[发明专利]形成图案的方法在审
| 申请号： | 201810952223.6 | 申请日： | 2018-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN109427580A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 朴钟撤 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种形成图案的方法包括：在基板上形成下层；在下层上形成掩模图案，掩模图案在平行于基板的顶表面的第一方向上延伸；以及对基板执行使用离子束的蚀刻工艺，使得离子束平行于由第一方向和垂直于基板的顶表面的方向限定的平面照射，并且相对于基板的顶表面以倾斜角照射，其中执行蚀刻工艺包括调节离子束的倾斜角以选择性地蚀刻下层或掩模图案。 | ||
| 搜索关键词： | 基板 掩模图案 顶表面 离子束 下层 蚀刻工艺 平行 蚀刻 图案 方向限定 平面照射 对基板 照射 垂直 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种形成图案的方法，所述方法包括：在基板上形成下层；在所述下层上形成掩模图案，所述掩模图案在平行于所述基板的顶表面的第一方向上延伸；以及对所述基板执行使用离子束的蚀刻工艺，使得所述离子束平行于由所述第一方向和垂直于所述基板的所述顶表面的方向限定的平面照射，并且相对于所述基板的所述顶表面以倾斜角照射，其中执行所述蚀刻工艺包括调节所述离子束的所述倾斜角以选择性地蚀刻所述下层或所述掩模图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
