[发明专利]薄膜晶体管制作方法、薄膜晶体管以及显示面板有效

专利信息
申请号: 201810946147.8 申请日: 2018-08-20
公开(公告)号: CN109148372B 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: 李金明 申请(专利权)人: TCL华星光电技术有限公司
主分类号: H01L21/8234 分类号: H01L21/8234;H01L27/088;H01L27/32
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种薄膜晶体管制作方法、薄膜晶体管以及显示面板,包括:提供一衬底基板;在衬底基板上形成第一栅极以及与第一栅极间隔的第二栅极;在衬底基板上形成栅极绝缘层,栅极绝缘层覆盖第一栅极和第二栅极;在栅极绝缘层上形成半导体层;在半导体层上形成源极层;对源极层以及半导体层进行第一刻蚀处理,以在源极层上形成第一源极和第二源极,并在半导体层上形成漏极以及第一导电沟道和第二导电沟道,第一导电沟道与第一源极连接,第二导电沟道与第二源极连接。在薄膜晶体管制作方法中,薄膜晶体管的漏极更加稳定。并且提高薄膜晶体管的电子迁移速率以及提高了显示面板的分辨率。
搜索关键词: 薄膜晶体管 制作方法 以及 显示 面板
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管制作方法,其特征在于,包括:提供一衬底基板;在所述衬底基板上形成第一栅极以及与所述第一栅极间隔的第二栅极;在所述衬底基板上形成栅极绝缘层,所述栅极绝缘层覆盖所述第一栅极和所述第二栅极;在所述栅极绝缘层上形成半导体层;在所述半导体层上形成源极层;对所述源极层以及所述半导体层进行第一刻蚀处理,以在所述源极层上形成第一源极和第二源极,并在所述半导体层上形成漏极以及第一导电沟道和第二导电沟道,所述第一导电沟道与所述第一源极连接,所述第二导电沟道与所述第二源极连接。
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