[发明专利]薄膜晶体管制作方法、薄膜晶体管以及显示面板有效

申请号：	201810946147.8	申请日：	2018-08-20
公开（公告）号：	CN109148372B	公开（公告）日：	2021-04-02
发明（设计）人：	李金明	申请（专利权）人：	TCL华星光电技术有限公司
主分类号：	H01L21/8234	分类号：	H01L21/8234;H01L27/088;H01L27/32
代理公司：	深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300	代理人：	黄威
地址：	518132 广东***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	薄膜晶体管制作方法以及显示面板
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【说明书】：

本发明提供一种薄膜晶体管制作方法、薄膜晶体管以及显示面板，包括：提供一衬底基板；在衬底基板上形成第一栅极以及与第一栅极间隔的第二栅极；在衬底基板上形成栅极绝缘层，栅极绝缘层覆盖第一栅极和第二栅极；在栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成源极层；对源极层以及半导体层进行第一刻蚀处理，以在源极层上形成第一源极和第二源极，并在半导体层上形成漏极以及第一导电沟道和第二导电沟道，第一导电沟道与第一源极连接，第二导电沟道与第二源极连接。在薄膜晶体管制作方法中，薄膜晶体管的漏极更加稳定。并且提高薄膜晶体管的电子迁移速率以及提高了显示面板的分辨率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管制作方法、薄膜晶体管以及显示面板。

背景技术

目前，氧化物半导体材料在大尺寸平板显示方面得到广泛的应用，特别是 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide，铟镓锌氧化物)。IGZO尤其适用于在大屏幕OLED(OrganicLight-Emitting Diode，有机发光二极管)显示器中。IGZO TFT比传统的非晶硅薄膜晶体管具有高精度、低功耗、高触控性能和元件轻薄的优点。

但是在现有技术中，IGZO TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)的BCE(back-channel etchstructure，背沟道蚀刻结构)结构，存在S/D(Source/Drain，源极/漏极)电极的CD Loss(刻蚀宽度缺失)的问题。在对IGZO TFT进行刻蚀时铜刻蚀液会腐蚀IGZO，从而导致沟道的宽度受到限制，影响了TFT的电子迁移。最后使在显示过程中TFT的分辨率降低，影响了画面显示的清晰度。

发明内容

本发明实施例提供一种薄膜晶体管制作方法、薄膜晶体管以及显示面板，从而提高电子的迁移率、TFT的分辨率以及画面显示的清晰度。

本发明实施例提供一种薄膜晶体管制作方法，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成第一栅极以及与所述第一栅极间隔的第二栅极；

在所述衬底基板上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述第一栅极和所述第二栅极；

在所述栅极绝缘层上形成半导体层；

在所述半导体层上形成源极层；

对所述源极层以及所述半导体层进行第一刻蚀处理，以在所述源极层上形成第一源极和第二源极，并在所述半导体层上形成漏极以及第一导电沟道和第二导电沟道，所述第一导电沟道与所述第一源极连接，所述第二导电沟道与所述第二源极连接。

在本发明的薄膜晶体管制作方法中，所述在所述衬底基板上形成第一栅极以及与所述第一栅极间隔的第二栅极的步骤，包括：

在所述衬底基板上形成栅极层；

对所述栅极层进行第三刻蚀处理，以形成第一栅极以及与所述第一栅极间隔的第二栅极。