[发明专利]薄膜晶体管制作方法、薄膜晶体管以及显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成第一栅极以及与所述第一栅极间隔的第二栅极；

在所述衬底基板上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述第一栅极和所述第二栅极；

在所述栅极绝缘层上形成半导体层；

在所述半导体层上形成阻挡层；

对所述阻挡层进行第二刻蚀处理，以形成阻挡块，所述阻挡块的面积小于所述半导体层的面积；

在所述半导体层上形成源极层，所述源极层的一部分形成在所述阻挡块上，所述源极层的另一部分与所述半导体层连接；

对所述源极层以及所述半导体层进行第一刻蚀处理，以在所述源极层上形成第一源极和第二源极，并在所述半导体层上形成漏极以及第一导电沟道和第二导电沟道，所述第一导电沟道与所述第一源极连接，所述第二导电沟道与所述第二源极连接。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，所述对所述源极层以及所述半导体层进行第一刻蚀处理的步骤，包括：

对所述源极层、所述阻挡块和所述半导体层进行第一刻蚀处理。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上形成第一栅极以及与所述第一栅极间隔的第二栅极的步骤，包括：

在所述衬底基板上形成栅极层；

对所述栅极层进行第三刻蚀处理，以形成第一栅极以及与所述第一栅极间隔的第二栅极。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，所述半导体层包括第一部分和第二部分，所述对所述源极层以及所述半导体层进行第一刻蚀处理的步骤，包括：

对所述半导体层的所述第一部分进行导体化；

所述漏极形成在所述第一部分，所述第一导电沟道和所述第二导电沟道形成在所述第二部分。

5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，所述第一刻蚀处理、所述第二刻蚀处理和所述第三刻蚀处理采用的刻蚀气体均包括三氟化氮。

6.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

衬底基板，所述衬底基板上间隔设置有第一栅极和第二栅极；

栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述衬底基板上且覆盖所述第一栅极和所述第二栅极；

半导体层，所述半导体层覆盖所述栅极绝缘层，所述半导体层包括第一部分和第二部分，所述第一部分形成有漏极，所述第二部分形成有间隔的第一导电沟道和第二导电沟道；

第一源极，所述第一源极位于所述半导体层上，所述第一源极与所述第一导电沟道连接；

第二源极，所述第二源极位于所述半导体层上，所述第二源极与所述第二导电沟道连接；

阻挡块，所述阻挡块位于所述半导体层上，所述阻挡块包括第一子阻挡块和第二子阻挡块，所述第一子阻挡块位于所述第一源极与所述第一导电沟道之间，所述第二子阻挡块位于所述第二源极与所述第二导电沟道之间。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层的材料包括铟镓锌氧化物。

8.一种显示面板，其特征在于，包括薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管为权利要求6至7任一项所述的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极连接。