[发明专利]在介电栅极上方具有接触件的FinFET器件结构和方法

摘要

本发明实施例提供了半导体结构的一个实施例。半导体结构包括从半导体衬底突出的第一鳍有源区和第二鳍有源区；形成在半导体衬底中并且插入在第一鳍有源区和第二鳍有源区之间的隔离部件；设置在隔离部件上的介电栅极；设置在第一鳍有源区上的第一栅极堆叠件和设置在第二鳍有源区上的第二栅极堆叠件；形成在第一鳍有源区中并且插入在第一栅极堆叠件与介电栅极之间的第一源极/漏极部件；形成在第二鳍有源区中并且插入在第二栅极堆叠件与介电栅极之间的第二源极/漏极部件；以及形成在第一层间介电(ILD)层中并且接合在第一源极/漏极部件和第二源极/漏极部件上，且在介电栅极上方延伸的接触部件。本发明实施例涉及在介电栅极上方具有接触件的FinFET器件结构和方法。

主权项

1.一种半导体结构，包括：/n第一鳍有源区和第二鳍有源区，从半导体衬底突出；/n隔离部件，形成在所述半导体衬底中并且插入在所述第一鳍有源区和所述第二鳍有源区之间；/n介电栅极，直接设置在所述隔离部件上；/n第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件，所述第一栅极堆叠件设置在所述第一鳍有源区上并且所述第二栅极堆叠件设置在所述第二鳍有源区上；/n第一源极/漏极部件，形成在所述第一鳍有源区中并且插入在所述第一栅极堆叠件与所述介电栅极之间；/n第二源极/漏极部件，形成在所述第二鳍有源区中并且插入在所述第二栅极堆叠件与所述介电栅极之间；以及/n接触部件，形成在第一层间介电(ILD)层中并且接合在所述第一源极/漏极部件和所述第二源极/漏极部件上，并且在所述介电栅极上方延伸。/n