[发明专利]在介电栅极上方具有接触件的FinFET器件结构和方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

第一鳍有源区和第二鳍有源区，从半导体衬底突出；

隔离部件，形成在所述半导体衬底中并且插入在所述第一鳍有源区和所述第二鳍有源区之间；

介电栅极，直接设置在所述隔离部件上，所述介电栅极是组成与所述隔离部件不同的介电部件，所述介电栅极部分地接合在所述隔离部件上并部分地接合在所述第一鳍有源区的顶表面和所述第二鳍有源区的顶表面上；

第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件，所述第一栅极堆叠件设置在所述第一鳍有源区上并且所述第二栅极堆叠件设置在所述第二鳍有源区上；

第一源极/漏极部件，形成在所述第一鳍有源区中并且插入在所述第一栅极堆叠件与所述介电栅极之间；

第二源极/漏极部件，形成在所述第二鳍有源区中并且插入在所述第二栅极堆叠件与所述介电栅极之间；以及

接触部件，形成在第一层间介电层中并且接合在所述第一源极/漏极部件和所述第二源极/漏极部件上，并且在所述介电栅极上方延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：互连结构，所述互连结构还包括第一金属层，所述第一金属层具有设置在所述接触部件上并耦接到所述接触部件的多条金属线。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，

所述第一栅极堆叠件和所述第二栅极堆叠件中的每一个均包括栅极介电层和位于所述栅极介电层上的栅电极；以及

所述半导体结构还包括额外的隔离部件，所述隔离部件和所述额外的隔离部件分别设置在所述第一鳍有源区的相对两侧，在所述额外的隔离部件上设置有额外的介电栅极，其中，所述额外的介电栅极和所述介电栅极在所述半导体衬底上方延伸至不同的高度。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，

所述栅极介电层包括高k介电材料；

所述介电栅极包括第一介电材料；

所述隔离部件包括第二介电材料；和

所述第一介电材料和所述第二介电材料在组成上与所述高k介电材料不同。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中，所述第一介电材料包括氮化硅，并且所述第二介电材料包括氧化硅。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述隔离部件是形成在所述半导体衬底上的浅沟槽隔离部件，所述浅沟槽隔离部件的顶面低于所述第一鳍有源区和所述第二鳍有源区的顶面。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述接触部件包括：接合在所述第一源极/漏极部件上的第一导电部件，接合在所述第二源极/漏极部件上的第二导电部件以及从所述第一导电部件延伸到所述第二导电部件的第三导电部件。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其中，

所述第一导电部件和所述第二导电部件还包括位于第一金属的侧壁和底面上的第一阻挡层；和

所述第三导电部件还包括位于第二金属的侧壁和底面上的第二阻挡层。

9.根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述第三导电部件具有与所述第一导电部件和所述第二导电部件的表面共面的顶面。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

第三源极/漏极部件，位于所述第一鳍有源区上；

第一沟道，位于所述第一鳍有源区上和所述第一栅极堆叠件下方；

第四源极/漏极部件，位于所述第二鳍有源区上；和

第二沟道，位于所述第二鳍有源区上和所述第二栅极堆叠件下方，其中，

所述第一源极/漏极部件和所述第三源极/漏极部件，所述第一栅极堆叠件和所述第一沟道是第一场效应晶体管的组件，并且

所述第二源极/漏极部件和所述第四源极/漏极部件，所述第二栅极堆叠件和所述第二沟道是第二场效应晶体管的组件。