[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置在审
| 申请号： | 201810934010.0 | 申请日： | 2018-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN109087921A | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 冯博;王世君;陈希;占红明;张瑞辰 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 杨广宇 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种阵列基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。该阵列基板包括：衬底基板以及依次设置在衬底基板上的栅图形层、栅绝缘层、有源层、源漏图形层、公共电极、辅助电极、钝化层和像素电极，辅助电极与公共电极接触，且辅助电极在衬底基板上的正投影位于栅图形层和源漏图形层在衬底基板上的正投影区域内。本发明有助于解决阵列基板的开口率较低的问题，保证阵列基板的开口率。本发明用于LCD显示装置。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列基板 衬底基板 辅助电极 显示装置 源漏图形 开口率 栅图形 公共电极接触 正投影区域 公共电极 像素电极 依次设置 栅绝缘层 钝化层 正投影 源层 制造 保证 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板以及依次设置在所述衬底基板上的栅图形层、栅绝缘层、有源层、源漏图形层、公共电极、辅助电极、钝化层和像素电极，所述辅助电极与所述公共电极接触，且所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影位于所述栅图形层和所述源漏图形层在所述衬底基板上的正投影区域内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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