[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置

说明书

本发明公开一种阵列基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。该阵列基板包括：衬底基板以及依次设置在衬底基板上的栅图形层、栅绝缘层、有源层、源漏图形层、公共电极、辅助电极、钝化层和像素电极，辅助电极与公共电极接触，且辅助电极在衬底基板上的正投影位于栅图形层和源漏图形层在衬底基板上的正投影区域内。本发明有助于解决阵列基板的开口率较低的问题，保证阵列基板的开口率。本发明用于LCD显示装置。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

高开口率高级超维场开关(英文：High opening rate Advanced-SuperDimensional Switching；简称：HADS)型显示面板是一种典型的液晶显示器(英文：LiquidCrystal Display；简称：LCD)显示面板，其具有宽视角、高分辨率以及低功耗等优点，广泛应用于显示行业。

HADS型显示面板包括对盒成型的阵列基板和彩膜基板，以及充填在阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子层。阵列基板包括衬底基板以及依次设置在衬底基板上的栅图形层、栅绝缘层、有源层、源漏图形层、钝化层和像素电极，栅图形层包括栅极以及与栅极连接的栅线(英文：Gate Line)，源漏图形层包括源极、漏极以及与源极连接的数据线(英文：Data Line)，漏极与像素电极连接，阵列基板还包括采用金属形成的Com电极(公共电极)，Com电极可以位于栅图形层中，且Com电极与数据线完全交叠(也即是Com电极在衬底基板上的正投影与数据线在衬底基板上的正投影重合)。由于Com电极与数据线完全交叠，因此数据线上的信号容易对Com电压(也即是Com电极上的电压)产生影响，导致Com电压的波动较大，影响HADS型显示面板的画面质量。相关技术中，可以通过增加Com电极的宽度，来降低Com电极的电阻，从而减小Com电压的波动。

但是，由于Com电极采用不透光的金属材料形成，增加Com电极的宽度会导致阵列基板的开口率降低，因此阵列基板的开口率较低。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，有助于解决阵列基板的开口率较低的问题。本发明的技术方案如下：

第一方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：

衬底基板以及依次设置在所述衬底基板上的栅图形层、栅绝缘层、有源层、源漏图形层、公共电极、辅助电极、钝化层和像素电极，所述辅助电极与所述公共电极接触，且所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影位于所述栅图形层和所述源漏图形层在所述衬底基板上的正投影区域内。

可选地，所述阵列基板还包括：设置在所述源漏图形层与所述公共电极之间的树脂层。

可选地，所述栅图形层包括栅极以及与所述栅极连接的栅线，所述源漏图形层包括源极、漏极以及与所述源极连接的数据线，所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影位于所述栅线和所述数据线在所述衬底基板上的正投影区域内。

可选地，所述公共电极和所述辅助电极通过同一次工艺形成。

可选地，所述公共电极和所述像素电极均为透明电极，所述辅助电极为金属电极。

可选地，所述公共电极和所述像素电极均为氧化烟锡(英文：Indium Tin Oxide；简称：ITO)电极。

第二方面，提供一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：

在衬底基板上形成栅图形层、栅绝缘层、有源层、源漏图形层、公共电极、辅助电极、钝化层和像素电极，所述辅助电极与所述公共电极接触，且所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影位于所述栅图形层和所述源漏图形层在所述衬底基板上的正投影区域内。

可选地，所述在衬底基板上形成栅图形层、栅绝缘层、有源层、源漏图形层、公共电极、辅助电极、钝化层和像素电极，包括：