[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

衬底基板以及依次设置在所述衬底基板上的栅图形层、栅绝缘层、有源层、源漏图形层、公共电极、辅助电极、钝化层和像素电极，所述辅助电极与所述公共电极接触，且所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影位于所述栅图形层和所述源漏图形层在所述衬底基板上的正投影区域内。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：设置在所述源漏图形层与所述公共电极之间的树脂层。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅图形层包括栅极以及与所述栅极连接的栅线，所述源漏图形层包括源极、漏极以及与所述源极连接的数据线，所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影位于所述栅线和所述数据线在所述衬底基板上的正投影区域内。

4.根据权利要求1至3任一所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极和所述像素电极均为透明电极，所述辅助电极为金属电极。

5.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底基板上形成栅图形层、栅绝缘层、有源层、源漏图形层、公共电极、辅助电极、钝化层和像素电极，所述辅助电极与所述公共电极接触，且所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影位于所述栅图形层和所述源漏图形层在所述衬底基板上的正投影区域内。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成栅图形层、栅绝缘层、有源层、源漏图形层、公共电极、辅助电极、钝化层和像素电极，包括：

在衬底基板上依次形成栅图形层、栅绝缘层、有源层和源漏图形层，所述栅图形层包括栅极以及与所述栅极连接的栅线，所述源漏图形层包括源极、漏极以及与所述源极连接的数据线；

在形成有所述源漏图形层的衬底基板上形成公共电极和辅助电极，所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影位于所述栅线和所述数据线在所述衬底基板上的正投影区域内；

在形成有所述公共电极和所述辅助电极的衬底基板上依次形成钝化层和像素电极。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述源漏图形层的衬底基板上形成公共电极和辅助电极，包括：

在形成有所述源漏图形层的衬底基板上依次形成透明材质层和金属材质层；

通过一次构图工艺对所述透明材质层和金属材质层进行处理，得到所述公共电极和所述辅助电极。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺对所述透明材质层和金属材质层进行处理，得到所述公共电极和所述辅助电极，包括：

在所述金属材质层上形成光刻胶层；

采用半色调掩膜版对所述光刻胶层进行曝光、显影后，得到光刻胶图形，所述光刻胶图形包括：第一光刻胶区、第二光刻胶区和光刻胶完全去除区，所述第一光刻胶区对应待形成的所述辅助电极，所述第一光刻胶区和所述第二光刻胶区对应待形成的所述公共电极，所述光刻胶完全去除区对应其他区域；

对所述光刻胶完全去除区对应的金属材质层和透明材质层进行刻蚀，得到初始辅助电极和所述公共电极；

去除所述第二光刻胶区的光刻胶；

对所述第二光刻胶区对应的初始辅助电极进行刻蚀，得到所述辅助电极；

剥离所述第一光刻胶区的光刻胶。

9.根据权利要求6至8任一所述的方法，其特征在于，

在形成有所述源漏图形层的衬底基板上形成公共电极和辅助电极之前，所述方法还包括：在形成有所述源漏图形层的衬底基板上形成树脂层；

所述在形成有所述源漏图形层的衬底基板上形成公共电极和辅助电极，包括：在形成有所述树脂层的衬底基板上形成公共电极和辅助电极。

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1至4任一所述的阵列基板。