[发明专利]半导体装置封装及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201810933579.5 申请日: 2018-08-16
公开(公告)号: CN110634831A 公开(公告)日: 2019-12-31
发明(设计)人: 吕文隆 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L21/48
代理公司: 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人: 蕭輔寬
地址: 中国台湾高雄市楠梓*** 国省代码: 中国台湾;TW
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摘要: 一种半导体装置封装包含第一电介质层、第一导电层、电子组件、第二电介质层、第二导电层及封装主体。所述第一电介质层具有顶表面、与所述顶表面相对的底表面及在所述顶表面与所述底表面之间延伸的侧向表面。所述第一导电层安置在所述第一电介质层的所述顶表面上。所述电子组件安置在所述第一电介质层的所述顶表面上。所述第二电介质层覆盖所述第一电介质层的所述底表面及所述侧向表面的第一部分,且暴露所述第一电介质层的所述侧向表面的第二部分。所述第二导电层安置在所述第二电介质层的底表面上且电连接到所述第一导电层。所述封装主体覆盖所述电子组件、所述第二电介质层的顶表面及所述第一电介质层的所述侧向表面的所述第二部分。
搜索关键词: 电介质层 顶表面 侧向表面 第一导电层 电子组件 第二导电层 封装主体 安置 半导体装置 电连接 覆盖 封装 暴露 延伸
【主权项】:
1.一种半导体装置封装,其包括:/n第一电介质层,其具有顶表面、与所述顶表面相对的底表面及在所述顶表面与所述底表面之间延伸的侧向表面;/n第一导电层,其安置在所述第一电介质层的所述顶表面上;/n电子组件,其安置在所述第一电介质层的所述顶表面上;/n第二电介质层,其覆盖所述第一电介质层的所述底表面及所述侧向表面的第一部分,且暴露所述第一电介质层的所述侧向表面的第二部分;/n第二导电层,其安置在所述第二电介质层的底表面上且电连接到所述第一导电层;及/n封装主体,其覆盖所述电子组件、所述第二电介质层的顶表面及所述第一电介质层的所述侧向表面的所述第二部分。/n
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