[发明专利]一种稀土离子掺杂硅酸镓铽激光晶体及其制备方法在审
| 申请号： | 201810928717.0 | 申请日： | 2018-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN108950688A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 罗毅 | 申请（专利权）人： | 安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B29/34 | 分类号： | C30B29/34;C30B15/00;C30B33/02;H01S3/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230601 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种激光晶体，尤其是涉及一种具有良好压电和磁光性能的土离子掺杂硅酸镓铽激光晶体及其制备方法。一种稀土离子掺杂硅酸镓铽激光晶体，其摩尔百分比组成为：Tb4O662～73mol％、Ga3O354～71mol％、SiO282～92mol％和Pr 4.5‑10mol％、Ce 2.3‑10mol％、Sc1.4‑10mol％、Er1.9‑10mol％、Dy1‑10 mol％中的一种或几种构成的掺杂Tb3Ga5SiO14激光晶体。其制备方法通过（1）配置初始原料→（2）单晶生长→（3）晶体退火→得到稀土离子掺杂Tb3Ga5SiO14激光晶体。本发明提供了一种稀土离子掺杂硅酸镓铽激光晶体及其生长方法，获得了其激光特性和压电特性，并在光电、激光、通信领域中具有重要的应用前景，同时参杂的硅酸镓铽晶体具有优良的磁光性能，同时可以在光纤隔离器中使用，特别是大功率的光纤隔离器。 | ||
| 搜索关键词： | 激光晶体 硅酸镓 稀土离子掺杂 制备 光纤隔离器 磁光性能 退火 摩尔百分比 初始原料 单晶生长 激光特性 离子掺杂 通信领域 压电特性 压电 掺杂 激光 生长 配置 应用 | ||
【主权项】：
1.一种稀土离子掺杂硅酸镓铽激光晶体，其特征在于：其摩尔百分比组成为：Tb4O662～73mol％、Ga3O354～71mol％、SiO282～92mol％和Pr 4.5‑10mol％、Ce 2.3‑10mol％、Sc1.4‑10mol％、Er1.9‑10mol％、Dy1‑10 mol％中的一种或几种构成的掺杂Tb3Ga5SiO14激光晶体。
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