[发明专利]一种二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201810914705.2 | 申请日： | 2018-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN109004022B | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 阳林涛;王永贵 | 申请（专利权）人： | 深圳市天佑照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/329;H01L29/861 |
| 代理公司： | 深圳迈辽知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 李明香 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明技术方案涉及一种二极管及其制造方法，所述二极管包括：第一导电类型的衬底，形成于所述衬底上下表面两侧边缘的第二导电类型的阱区，第一导电类型的第一外延层，形成于所述第一外延层并与衬底连接的埋层，第一导电类型的第二外延层，形成于第二外延层上两侧边缘与阱区对应的场氧区，形成于第二外延层内的第二导电类型的第一掺杂区，正面金属和背面金属。通过在第一外延层设置埋层，使得在阴极侧形成一个寄生的雪崩二极管，其击穿电压较低，可以缩短反向恢复时间，并具有较软反向恢复特性，同时在衬底上下表面分别注入形成第二导电类型的阱区，其与场氧区配合作用，也可以降低反向恢复电荷，缩短反向恢复时间和具有更软的反向恢复特性。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 衬底 第一导电类型 二极管 导电类型 反向恢复 阱区 反向恢复特性 两侧边缘 上下表面 场氧区 埋层 金属 雪崩二极管 击穿电压 电荷 掺杂区 阴极侧 制造 背面 配合 | ||
【主权项】：
1.一种二极管，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的阱区，包括两个第一阱区和两个第二阱区，所述第一阱区形成于所述衬底的上表面两侧边缘，所述第二阱区形成于所述衬底的下表面两侧边缘；第一导电类型的第一外延层，形成于所述衬底的上表面，所述第一外延层的掺杂浓度低于所述衬底的掺杂浓度；第二导电类型的埋层，形成于所述第一外延层，与所述衬底连接；第一导电类型的第二外延层，形成于所述第一外延层之上，所述第二外延层的掺杂浓度低于所述第一外延层的掺杂浓度；场氧区，由第二外延层上表面两侧边缘处进行局部二氧化硅生长形成，所述场氧区位置与所述阱区对应；第二导电类型的第一掺杂区，形成于所述第二外延层内；正面金属和背面金属。
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