[发明专利]地址/数据转换器分离的三维纵向存储器在审
申请号: | 201810904548.7 | 申请日: | 2015-05-06 |
公开(公告)号: | CN109119413A | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
发明(设计)人: | 张国飙 | 申请(专利权)人: | 成都三维艾匹科技有限公司 |
主分类号: | H01L25/18 | 分类号: | H01L25/18;H01L23/528;H01L23/532 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610041 四川省成都市天*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明提出一种分离三维纵向存储器(3D‑MV)50,它含有至少一三维阵列芯片30和至少一地址/数据转换器芯片40*。三维阵列芯片30含有多个竖直存储串16X、16Y。至少部分地址/数据转换器位于地址/数据转换器芯片40*内,而非三维阵列芯片30内。三维阵列芯片30和地址/数据转换器芯片40*具有完全不同的后端(BEOL)结构。 | ||
搜索关键词: | 数据转换器 三维阵列芯片 存储器 芯片 三维 竖直 存储 | ||
【主权项】:
1.一种分离的三维纵向存储器(3D‑MV)(50),其特征在于包括:一含有至少一三维纵向存储阵列(36)和一周边电路(38)的三维阵列芯片(30),该三维纵向存储阵列(36)含有多个竖直存储串(16X、16Y),该周边电路(38)位于该三维纵向存储阵列(36)之外;一含有至少部分地址转换器的地址转换器芯片(40*),该地址转换器在主机与该三维阵列芯片(30)之间进行地址转换;所述三维阵列芯片(30)不含所述部分地址转换器;所述地址转换器芯片(40*)的互连线层数大于所述周边电路(38) 的互连线层数,且所述地址转换器芯片(40*)和所述周边电路(38)含有不同的互连线材料;所述三维阵列芯片(30)和所述地址转换器芯片(40*)为两个不同的芯片。
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