[发明专利]半导体存储装置、其制造方法及数据选通信号的输出方法有效

专利信息
申请号: 201810901574.4 申请日: 2018-08-09
公开(公告)号: CN109920455B 公开(公告)日: 2023-05-09
发明(设计)人: 须藤直昭 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;G11C5/14;G11C16/10;G11C16/26;G11C16/30
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 吴志红;臧建明
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种半导体存储装置、其制造方法及数据选通信号的输出方法,抑制自多个存储芯片所输出的数据与DQS信号的错位。本发明的闪速存储器设备(100)包括:多个存储芯片;能够输入/输出数据的多个IO端子;以及一个DQS端子。多个存储芯片各自包括:用来输出数据的输出电路、以及输出对自所述输出电路所输出的数据的时序进行定义的DQS信号的DQS输出电路。对一个DQS端子供给自多个存储芯片的各DQS输出电路所输出的DQS信号。
搜索关键词: 半导体 存储 装置 制造 方法 数据 通信 输出
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,其特征在于:包含有多个存储芯片,各所述多个存储芯片包括:输出电路,用来输出数据;以及数据选通信号输出电路,输出对自所述输出电路所输出的数据的时序进行定义的数据选通信号,所述半导体存储装置还包括:多个输出端子,能够将自所述多个存储芯片的各输出电路所输出的数据输出至外部;以及一个数据选通信号端子,用来将所述数据选通信号输出至外部,且将自所述多个存储芯片的各数据选通信号输出电路所输出的数据选通信号供给至所述一个数据选通信号端子,其中各所述存储芯片的输出电路包含用来输出数据的n个并联的逆变器,n为2以上的整数,各所述存储芯片的数据选通信号输出电路包含复制所述输出电路的n个并联的逆变器所得的n个并联的逆变器,各所述数据选通信号输出电路将自比n个并联的逆变器个数少的逆变器所输出的数据选通信号供给至所述数据选通信号端子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华邦电子股份有限公司,未经华邦电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810901574.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top