[发明专利]背照式CMOS图像传感器及其形成方法

摘要

本发明提供一种背照式CMOS图像传感器及其形成方法，该背照式CIS的形成方法包括：在半导体衬底上生长有P型外延层，在P型外延层中形成有用于定义像素单元有源区的隔离沟槽；在像素有源区的选定区域上形成有光电二极管的第一N型掺杂区；以图形化的掩模层为掩模，对P型外延层进行第一次P型离子注入工艺，以形成光电二极管的P型插入掺杂区的第一部分，P型插入掺杂区的第一部分位于第一N型掺杂区内；对P型外延层进行第二次P型离子注入工艺，以形成光电二极管的P型插入掺杂区的第二部分，P型插入掺杂区的第二部位于所述第一N型掺杂区内，以加深光电二极管的PN结的结深，有利于第一N型掺杂区的电荷的耗尽，从而提高了背照式CMOS图像传感器的满阱容量。

主权项

1.一种背照式CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一P型的半导体衬底，在所述半导体衬底上生长有P型外延层，在所述P型外延层中形成有用于定义像素单元有源区的隔离沟槽；在所述像素有源区的选定区域上，对所述P型外延层进行第一次N型离子注入工艺，以形成光电二极管的第一N型掺杂区；在所述半导体衬底上形成所述图形化的掩模层；以所述图形化的掩模层为掩模，对所述P型外延层进行第一次P型离子注入工艺，以形成光电二极管的P型插入掺杂区的第一部分，所述P型插入掺杂区的第一部分位于所述第一N型掺杂区内，且所述P型插入掺杂区的第一部分的最深处与所述第一N型掺杂区的最深处在同一位置；以所述图形化的掩模层为掩模，对所述P型外延层进行第二次P型离子注入工艺，以形成光电二极管的P型插入掺杂区的第二部分，所述P型插入掺杂区的第二部位于所述第一N型掺杂区内，且所述P型插入掺杂区的第一部分位于所述P型插入掺杂区的第二部分底部，形成光电二极管的P型插入掺杂区；以及去除所述图形化的掩模层。