[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本公开涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置，包括半导体基板、栅极电极和第一接触插塞。半导体基板包括第一表面和第二表面。在半导体基板之上，形成源极区域、漏极区域、漂移区域和体区域。其中埋有栅极电极的第一沟槽在第一表面中形成。第一表面包括有效区域和外围区域。第一沟槽沿着第一方向从外围区域起在有效区域上延伸。栅极电极包括与夹在源极区域和漂移区域之间的体区域相对且与之绝缘的部分。在外围区域中，第一接触插塞电耦接到埋在第一沟槽中的栅极电极，使得当在平面图中观察时，第一接触插塞的较长边沿着第一方向。

主权项

1.一种半导体装置，包括：半导体基板，所述半导体基板包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且在半导体基板之上形成有布置在所述第一表面中的第一导电类型的源极区域、布置在所述第二表面中的第一导电类型的漏极区域、布置在第一源极侧的漏极区域中的第一导电类型的漂移区域，以及夹在所述源极区域和所述漂移区域之间的第二导电类型的体区域，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；栅极电极；以及第一接触插塞，其中，在所述第一表面中设置第一沟槽，所述第一沟槽朝着所述第二表面延伸以到达所述漂移区域，并且所述第一沟槽中埋有栅极电极，其中，所述第一表面包括其中布置有所述源极区域的有效区域和围绕所述有效区域的外围区域，其中，当在平面图中看时，所述第一沟槽沿着从所述外围区域朝着所述有效区域的第一方向从所述外围区域起在所述有效区域上延伸，其中，所述栅极电极包括与夹在所述源极区域和所述漂移区域之间的体区域相对并且与之绝缘的部分，以及其中，所述第一接触插塞在所述外围区域中电耦接到埋在所述第一沟槽中的所述栅极电极，使得当在平面图中看时所述第一接触插塞的较长边沿着第一方向。