[发明专利]一种半导体薄膜器件及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 201810847564.7 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN108963011A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 钟文敏;刘秋香;唐新桂;曾思明 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/09;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;唐京桥 |
| 地址： | 510006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体薄膜器件及其制备方法与应用。半导体薄膜器件，包括：衬底、底电极、双钙钛矿氧化物薄膜和顶电极；底电极设置在衬底的表面；双钙钛矿氧化物薄膜设置在底电极背离衬底的一侧；顶电极设置在双钙钛矿氧化物薄膜背离底电极的一侧。使用该薄膜材料的半导体薄膜器件从黑暗条件、日光条件到人造阳光条件下，展现了良好的二极管效应，同时，还展现了良好的光电效应，另外，本发明的半导体薄膜器件的光电转换效率Isolar/Idark>1000，具有十分强灵敏度，可以极大的放大光信号，解决了现有的光电二极管薄膜器件光电转换率低，且在接受光照后不具备二极管效应的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体薄膜器件 底电极 氧化物薄膜 双钙钛矿 衬底 二极管效应 顶电极 制备 背离 半导体技术领域 光电二极管薄膜 光电转换效率 放大光信号 光电转换率 薄膜材料 光电效应 黑暗条件 日光条件 灵敏度 光照 应用 | ||
【主权项】：
1.一种半导体薄膜器件，其特征在于，包括：衬底、底电极、双钙钛矿氧化物薄膜和顶电极；所述底电极设置在所述衬底的表面；所述双钙钛矿氧化物薄膜设置在所述底电极背离所述衬底的一侧；所述顶电极设置在所述双钙钛矿氧化物薄膜背离所述底电极的一侧；所述双钙钛矿氧化物薄膜选自Bi2NiMnO6薄膜、Bi2Ni0.5Mn1.5O6薄膜、Bi2Ni0.8Mn1.2O6薄膜或Bi2Ni0.1Mn1.9O6薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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