[发明专利]一种半导体薄膜器件及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种半导体薄膜器件，其特征在于，包括：衬底、底电极、双钙钛矿氧化物薄膜和顶电极；

所述底电极设置在所述衬底的表面；

所述双钙钛矿氧化物薄膜设置在所述底电极背离所述衬底的一侧；

所述顶电极设置在所述双钙钛矿氧化物薄膜背离所述底电极的一侧；

所述双钙钛矿氧化物薄膜选自Bi₂NiMnO₆薄膜、Bi₂N_i0.5Mn_1.5O₆薄膜、Bi₂Ni_0.8Mn_1.2O₆薄膜或Bi₂Ni_0.1Mn_1.9O₆薄膜。

2.根据权利要求1所述的半导体薄膜器件，其特征在于，所述双钙钛矿氧化物薄膜为Bi₂NiMnO₆薄膜。

3.根据权利要求1所述的半导体薄膜器件，其特征在于，所述衬底选自导电玻璃、石英玻璃、云母或单晶硅片。

4.根据权利要求1所述的半导体薄膜器件，其特征在于，所述底电极选自掺氟氧化锡(FTO)、氧化锡(ITO)、SrTiO₃或Nb:SrTiO₃；

所述顶电极选自Au、Pt、Ag或Al。

5.权利要求1至4任意一项所述的半导体薄膜器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：制备双钙钛矿氧化物的前驱液；

步骤2：利用所述前驱液在背离所述底电极背离所述衬底的一侧制备双钙钛矿氧化物薄膜；

步骤3：在所述双钙钛矿氧化物薄膜背离所述底电极一侧表面制备顶电极，得到所述半导体薄膜器件。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤2具体为：将所述前驱液滴加在所述底电极表面，烘干后，放入平台炉，通入气体，进行退火，得到所述底电极表面的所述双钙钛矿氧化物薄膜。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述退火温度为400℃～550℃；

所述退火时间为10min～60min。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述前驱液以乙酸镍、乙酸锰和硝酸铋为溶质。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述气体选自空气、氮气、氧气或稀有气体。

10.权利要求1至4任意一项所述的半导体薄膜器件或权利要求5至9任意一项所述的制备方法制得的半导体薄膜器件在光电探测中的应用。