[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，第一区域和第二区域的半导体衬底上分别形成有第一鳍片和第二鳍片，第一鳍片和第二鳍片包括交替堆叠的Si层和SiGe层；形成横跨第一鳍片的第一伪栅极以及横跨第二鳍片的第二伪栅极；在第一伪栅极两侧形成第一沟槽，在第二伪栅极两侧形成第二沟槽；去除第一沟槽的侧壁所暴露的部分SiGe层，以形成第一凹槽，去除第二沟槽的侧壁所暴露的部分SiGe层，以形成第二凹槽；形成填充第一凹槽的第一侧壁；在第一沟槽中形成第一应力层。本发明提供的半导体器件及其制造方法，能够减小栅极与应力层之间的寄生电容，并提高半导体器件的性能。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域的所述半导体衬底上分别形成有第一鳍片和第二鳍片，所述第一鳍片和所述第二鳍片包括交替堆叠的Si层和SiGe层；/n形成横跨所述第一鳍片的第一伪栅极以及横跨所述第二鳍片的第二伪栅极；/n在所述第一伪栅极两侧的所述第一鳍片中形成第一沟槽，以及在所述第二伪栅极两侧的所述第二鳍片中形成第二沟槽；/n去除所述第一沟槽的侧壁所暴露的部分SiGe层，以形成第一凹槽，以及去除所述第二沟槽的侧壁所暴露的部分SiGe层，以形成第二凹槽；/n形成填充所述第一凹槽的第一侧壁；/n在所述第一沟槽中形成第一应力层。/n