[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201810769160.0 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN110718564B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 王文洁;刘权升;陈柏成 | 申请（专利权）人： | 蓝枪半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 爱尔兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括基底、感光元件与导光结构。感光元件设置在基底中。导光结构位于感光元件上方。导光结构具有彼此相对的顶面与底面，且底面较顶面更接近基底。导光结构的最小宽度的位置位于顶面与底面之间。上述半导体结构及其制造方法可缩短制作工艺时间且可有效地降低散射光的信号干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n基底；/n感光元件，设置在所述基底中；以及/n导光结构，位于所述感光元件上方，且具有彼此相对的顶面与底面，其中所述底面较所述顶面更接近所述基底，且所述导光结构的最小宽度的位置位于所述顶面与所述底面之间。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
