[发明专利]缺陷检验方法、半导体装置的制造方法及半导体工艺有效
| 申请号： | 201810768975.7 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN109427604B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 游大庆;高振颜;张书豪;徐源甫;陈奕豪;黄得智;王士哲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳;李琛 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的实施例涉及缺陷检验的方法。在图案部件形成于结构层中之后，填充具有与结构层不同的光学性质的虚设填充材于图案部件中。图案部件中的材料与结构层之间不同的光学性质增加了通过检验工具所捕捉的影像中的对比度，因而增加了缺陷捕捉率。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 检验 方法 半导体 装置 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种在光刻工艺后的缺陷检验方法，包括：蚀刻一图案化光刻胶层之下的一结构层以将复数图案部件从该图案化光刻胶层转换至该结构层，其中该结构层包括一第一材料；以一虚设填充材料填充该结构层中该些图案部件，其中该第一材料与该虚设填充材料具有不同的光学性质，并且可从该些图案部件移除该虚设填充材料；曝露包含该第一材料的该结构层以及包含该虚设填充材料的该些图案部件的上表面；以及使用一检验工具检验该上表面是否有缺陷的图案部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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