[发明专利]具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201810768720.0 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN109065624A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 刘厥扬 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/417 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法，包括步骤：步骤一、提供一硅衬底，在硅衬底的表面形成栅极结构，栅极结构的侧面形成有侧墙；步骤二、在栅极结构的两侧形成侧面具有∑形状的凹槽，包括分步骤：步骤21、形成硬掩膜层；步骤22、光刻工艺定义出凹槽的形成区域，依次对硬掩膜层和硅衬底进行刻蚀形成所述凹槽；步骤23、采用离子注入对凹槽的体积进行扩大；步骤三、在凹槽中填充锗硅外延层形成嵌入式锗硅外延层；步骤四、进行源漏注入形成源区和漏区。本发明能扩大嵌入式锗硅外延层的体积，从而能提高器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 锗硅外延层 硅衬底 硬掩膜层 栅极结构 锗硅源漏 嵌入式 表面形成栅极 侧面 电学性能 光刻工艺 侧墙 刻蚀 漏区 源漏 源区 填充 离子 制造 | ||
【主权项】：
1.一种具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一硅衬底，在所述硅衬底的表面形成栅极结构，所述栅极结构的侧面形成有侧墙；步骤二、在所述栅极结构的两侧形成侧面具有∑形状的凹槽，包括如下分步骤：步骤21、形成硬掩膜层；步骤22、采用光刻工艺在所述栅极结构的两侧定义出所述凹槽的形成区域，依次对所述凹槽形成区域的所述硬掩膜层和所述硅衬底进行刻蚀形成所述凹槽；步骤23、采用离子注入对所述凹槽的体积进行扩大；步骤三、在所述凹槽中填充锗硅外延层形成嵌入式锗硅外延层，通过步骤23扩大所述凹槽的体积使所述嵌入式锗硅外延层的体积扩大，提高器件的电性；步骤四、在形成有所述嵌入式锗硅外延层的所述栅极结构的两侧进行源漏注入形成源区和漏区。
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