[发明专利]一种阵列基板及其制备方法在审
申请号: | 201810764065.1 | 申请日: | 2018-07-12 |
公开(公告)号: | CN109037276A | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 应俊 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种阵列基板及其制备方法,包括:衬底基板;薄膜晶体管层,制备于所述衬底基板上;平坦层,制备于所述薄膜晶体管层上;透明电极,阵列的制备于所述平坦层上,且与所述薄膜晶体管层中的薄膜晶体管的漏极连接;感光层,与所述透明电极绝缘制备,图案化后形成对应相邻两所述透明电极间的间隙处的感光单元;像素定义层,制备于所述感光层上,且定义出对应所述透明电极的像素区域以及对应所述感光单元的感光区域,一所述像素区域对应一有机发光子像素;其中,外界光线经所述感光区域传至所述感光单元,所述感光单元用于将接收到的所述外界光线的光线强度转化为电信号,并反馈至控制电路,以调控所述有机发光子像素的发光强度。 | ||
搜索关键词: | 制备 感光单元 透明电极 薄膜晶体管层 发光子像素 衬底基板 感光区域 外界光线 像素区域 阵列基板 感光层 平坦层 薄膜晶体管 像素定义层 控制电路 间隙处 图案化 漏极 绝缘 反馈 调控 转化 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板;薄膜晶体管层,制备于所述衬底基板上;平坦层,制备于所述薄膜晶体管层上;透明电极,阵列的制备于所述平坦层上,且与所述薄膜晶体管层中的薄膜晶体管的漏极连接;感光层,与所述透明电极绝缘制备,图案化所述感光层形成感光单元,用以感测外界光线的光线强度;像素定义层,制备于所述感光层上,且定义出对应所述透明电极的像素区域以及对应所述感光单元的感光区域,一所述像素区域对应一有机发光子像素;其中,所述感光单元位于对应相邻两所述有机发光子像素之间的间隙位置,所述外界光线经所述感光区域传至所述感光单元,所述感光单元用于将接收到的所述外界光线的光线强度转化为电信号,并反馈至控制电路,以调控所述有机发光子像素的发光强度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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