[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201810757181.0 | 申请日： | 2018-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN108922967B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 李欣浤;詹钧翔;范铎正;蔡庭玮;江启圣;蔡旻锦 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/05;H01L51/10 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构，包含栅极、栅绝缘层、通道层、保护层、以及源极与漏极。栅极设置于基底上。栅绝缘层设置于栅极上，且具有凹部。通道层设置于凹部内。保护层覆盖通道层及栅绝缘层上，保护层的材料包含氧化铝、氧化硅或氮化硅，且保护层的厚度小于20纳米。源极与漏极设置于保护层上。半导体结构的制造方法亦被提出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的制造方法，包含：形成一栅极于一基底上；形成一栅绝缘层于该栅极上，其中该栅绝缘层具有一凹部；形成一通道层于该凹部内；形成一保护层于该通道层及该栅绝缘层上，其中该保护层的材料包含氧化铝、氧化硅或氮化硅，该保护层的厚度小于20纳米；以及形成一源极与一漏极于该保护层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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