[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法有效
| 申请号： | 201810746992.0 | 申请日： | 2018-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN109192829B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 洪威威;王倩;韦春余;陆香花;周飚;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型层、有源层、低温P型层、电子阻挡层和高温P型层，所述缓冲层、所述N型层、所述有源层、所述低温P型层、所述电子阻挡层和所述高温P型层依次层叠在所述衬底上，所述高温P型层的材料采用P型掺杂的氮化镓，所述低温P型层的材料采用P型掺杂的氮化铟镓，所述电子阻挡层包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层，所述第一子层的材料采用铝铟镓氮，所述第二子层的材料采用氮化铝镓，所述第三子层的材料采用氮化铝，所述第四子层的材料采用氮化铟镓。本发明可以有效避免由于晶格失配而产生极化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 外延 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型层、有源层、低温P型层、电子阻挡层和高温P型层，所述缓冲层、所述N型层、所述有源层、所述低温P型层、所述电子阻挡层和所述高温P型层依次层叠在所述衬底上，所述高温P型层的材料采用P型掺杂的氮化镓，其特征在于，所述低温P型层的材料采用P型掺杂的氮化铟镓，所述电子阻挡层包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层，所述第一子层的材料采用铝铟镓氮，所述第二子层的材料采用氮化铝镓，所述第三子层的材料采用氮化铝，所述第四子层的材料采用氮化铟镓。
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