[发明专利]电容及其制造方法在审
| 申请号： | 201810696241.2 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN108878543A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 孔蔚然;钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种电容，包括：第一导电类型的半导体衬底；沟槽，形成于半导体衬底中；半导体柱，由填充于沟槽中的第二导电类型的半导体材料组成；半导体柱在所述沟槽的侧面处和所述半导体衬底相接触并沿所述沟槽的侧面形成纵向PN结，纵向PN结作为电容的组成部分，纵向PN结作为电容的电容密度调节结构且是利用纵向PN结所具有的横向尺寸无关的特性来调节电容的电容密度。本发明还公开了一种电容的制造方法。本发明能提高电容密度，为集成电路提供高密度电容。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 纵向PN结 衬底 半导体 半导体柱 半导体材料 第一导电类型 密度调节结构 高密度电容 导电类型 侧面 填充 集成电路 制造 | ||
【主权项】：
1.一种电容，其特征在于，包括：第一导电类型的半导体衬底；沟槽，形成于所述半导体衬底中；半导体柱，由填充于所述沟槽中的第二导电类型的半导体材料组成；所述半导体柱在所述沟槽的侧面处和所述半导体衬底相接触并沿所述沟槽的侧面形成纵向PN结，所述纵向PN结作为电容的组成部分，所述纵向PN结作为所述电容的电容密度调节结构且是利用所述纵向PN结所具有的横向尺寸无关的特性来调节所述电容的电容密度。
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