[发明专利]一种半导体薄膜晶体管的制造方法及显示面板在审
| 申请号： | 201810694014.6 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN110729197A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 张锡明;姜信铨;黄彦余 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴志红;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体薄膜晶体管的制造方法及显示面板，所述方法包括提供基板。形成半导体图案于基板上。形成第一绝缘层于基板上，并覆盖半导体图案。形成第一金属层于第一绝缘层上，且第一绝缘层位于半导体图案与第一金属层之间。形成半色调光刻胶图案于第一金属层上。半色调光刻胶图案暴露部分第一金属层。移除半色调光刻胶图案暴露的部分第一金属层，以形成栅极。栅极覆盖部分半导体图案。以及，形成源极以及漏极于半导体图案上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体图案 第一金属层 绝缘层 光刻胶图案 半色调 基板 半导体薄膜晶体管 显示面板 暴露 覆盖 漏极 移除 源极 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：/n提供基板；/n形成半导体图案于所述基板上；/n形成第一绝缘层于所述基板上，并覆盖所述半导体图案；/n形成第一金属层于所述第一绝缘层上，且所述第一绝缘层位于所述半导体图案与所述第一金属层之间；/n形成半色调光刻胶图案于所述第一金属层上，所述半色调光刻胶图案暴露部分所述第一金属层；/n移除所述半色调光刻胶图案暴露的部分所述第一金属层，以形成栅极，且所述栅极覆盖部分所述半导体图案；以及/n形成源极以及漏极于所述半导体图案上。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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