[发明专利]一种半导体薄膜晶体管的制造方法及显示面板

权利要求书

1.一种半导体薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

提供基板；

形成半导体图案于所述基板上；

形成第一绝缘层于所述基板上，并覆盖所述半导体图案；

形成第一金属层于所述第一绝缘层上，且所述第一绝缘层位于所述半导体图案与所述第一金属层之间；

形成半色调光刻胶图案于所述第一金属层上，所述半色调光刻胶图案暴露部分所述第一金属层；

移除所述半色调光刻胶图案暴露的部分所述第一金属层，以形成栅极，且所述栅极覆盖部分所述半导体图案；以及

形成源极以及漏极于所述半导体图案上。

2.根据权利要求1所述的半导体薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述形成半导体图案的步骤包括：

形成半导体材料层于所述基板上；以及

图案化所述半导体材料层以形成所述半导体图案。

3.根据权利要求2所述的半导体薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述半导体材料层的材料为金属氧化物。

4.根据权利要求1所述的半导体薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述形成半色调光刻胶图案的步骤包括：

形成光刻胶层于所述第一金属层上；以及

图案化所述光刻胶层以形成第一光刻胶图案、第二光刻胶图案以及第一开口，

其中所述第一光刻胶图案的厚度大于所述第二光刻胶图案的厚度，且所述第一开口重叠部分所述半导体图案并暴露部分所述第一金属层。

5.根据权利要求4所述的半导体薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述形成栅极的步骤包括：

移除所述第一开口暴露的部分所述第一金属层，以形成第一金属图案并暴露部分所述第一绝缘层；

对所述第一光刻胶图案与所述第二光刻胶图案进行灰化，以移除所述第二光刻胶图案并形成第一薄化光刻胶图案；以及

移除所述第一薄化光刻胶图案所未覆盖的所述第一金属图案，以形成所述栅极，

其中所述栅极覆盖的部分所述半导体图案定义为通道区。

6.根据权利要求5所述的半导体薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，在进行灰化的步骤之前，还包括：

移除所述第一金属图案所暴露的所述第一绝缘层以形成第一绝缘图案、栅绝缘层及第二开口，所述第二开口分别暴露部分所述半导体图案，

其中所述第一开口对位重叠所述第二开口，且所述栅极与所述栅绝缘层部分重叠所述半导体图案并对位重叠所述第一薄化光刻胶图案。

7.根据权利要求6所述的半导体薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，形成所述源极与所述漏极的步骤包括：

形成第二绝缘层于所述基板上，其覆盖并导体化所述通道区相对两侧的所述半导体图案为源极区以及漏极区；

图案化所述第二绝缘层以形成第二绝缘图案，其具有分别对应所述源极区及所述漏极区的多个开孔；以及

形成第二金属图案于所述第二绝缘图案上，所述第二金属图案包括所述源极以及所述漏极，分别通过所述多个开孔电性连接对应的所述源极区及所述漏极区。

8.根据权利要求7所述的半导体薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，形成所述第二绝缘层的方法包括等离子体增强化学气相沉积法。

9.根据权利要求7所述的半导体薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述第一金属图案以及所述第二金属图案的材料包括钼、铝、钛、钼合金、铝合金或上述组合中的任何一种。

10.一种显示面板，其特征在于，包括：

像素阵列基板，包括：

如权利要求1至9其中任一项所述的方法制备的半导体薄膜晶体管；以及

像素电极，设置于所述第二绝缘图案上并电性连接所述第二金属图案；

对向基板，位于所述像素阵列基板的对向；以及

显示介质层，位于所述像素阵列基板与所述对向基板之间。