[发明专利]一种新型SOI衬底的结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201810675123.3 | 申请日： | 2018-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN108878349A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 王智勇;黄瑞;代京京 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/12;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种SOI衬底的结构包括：第一Si片和第二Si片，采用热氧化的方法对第一Si片进行氧化，得到一层氧化层，对第一Si片的氧化层进行刻蚀，形成带有沟道的氧化层；然后对第二Si片片注入氢，将第一Si片a和第二Si片b进行键合，并减薄顶层第二Si片的厚度，形成SOI衬底。本发明还提供一种SOI衬底结构的制备方法。可以有效减小传统SOI衬底中固定正电荷产生的电场对外延生长的影响，并提高BOX埋层的热导率。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 氧化层 制备 固定正电荷 电场 衬底结构 热导率 热氧化 顶层 沟道 减薄 减小 键合 刻蚀 埋层 生长 | ||
【主权项】：
1.一种SOI衬底的结构，其特征在于，包括：第一Si片和第二Si片，采用热氧化法对第一Si片上表面进行氧化，得到一定厚度的氧化层，对所述氧化层进行刻蚀，刻蚀出数条沟道区，对沟道区溅射金属；对第二Si片注入氢离子，得到在一定深度处氢离子分布的Si片，第二Si片位于第一Si片的上面，将第一Si片氧化层和第二Si片注入氢离子表面进行键合，减薄顶层第二Si片的厚度至0.05～0.3μm，形成SOI衬底。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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