[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201810567981.6 | 申请日： | 2018-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN110571271B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 林文新;曾富群;林鑫成;胡钰豪;吴政璁 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括一基底、阱、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一漏极区、一源极区以及一栅极区。基底具有一第一导电型。阱设置于基底之中，并具有一第二导电型。第一掺杂区设置于阱之中，并具有第一导电型。第二掺杂区设置于阱之中，并具有第一导电型。第一掺杂区与第二掺杂区在空间上彼此分隔。漏极区设置于阱之中，并具有第二导电型。源极区设置于阱之中，并具有第二导电型。栅极区设置于阱之中，并位于源极区与漏极区之间。栅极区具有第一导电型并重叠第一掺杂区。采用本发明方案可以有效提升结型场效应晶体管JFET的空乏能力及驱动电流，并降低JFET的通道截止电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：/n一基底，具有一第一导电型；/n一第一阱，设置于该基底之中，并具有一第二导电型；/n一第一掺杂区，设置于该第一阱之中，并具有该第一导电型；/n一第二掺杂区，设置于该第一阱之中，并具有该第一导电型，其中该第一掺杂区与该第二掺杂区在空间上彼此分隔；/n一漏极区，设置于该第一阱之中，并具有该第二导电型；/n一源极区，设置于该第一阱之中，并具有该第二导电型；以及/n一栅极区，设置于该第一阱之中，并位于该源极区与该漏极区之间，其中该栅极区具有该第一导电型并重叠该第一掺杂区。/n
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