[发明专利]铁电存储器件在审
| 申请号： | 201810562910.7 | 申请日： | 2018-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN109037219A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 刘香根 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11507 | 分类号： | H01L27/11507 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 王建国;李琳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 根据实施例的铁电存储器件包括衬底、顺序地设置在沟槽的内壁上的界面绝缘层和铁电绝缘层，沟槽形成于衬底中。另外，铁电存储器件包括设置在铁电绝缘层上的栅电极层。设置在与沟槽的底表面具有共用表面的界面绝缘层上的部分铁电绝缘层和设置在与沟槽的侧壁表面具有共用表面的界面绝缘层上的部分铁电绝缘层在与沟槽的底表面和侧壁表面垂直的方向上分别具有晶体生长面。 | ||
| 搜索关键词： | 铁电绝缘层 铁电存储器件 界面绝缘层 侧壁表面 共用表面 衬底 晶体生长面 沟槽形成 栅电极层 垂直的 内壁 | ||
【主权项】：
1.一种铁电存储器件，包括：衬底；界面绝缘层和铁电绝缘层，它们顺序地设置在沟槽的内壁表面上，沟槽形成在衬底中；以及栅电极层，其设置在铁电绝缘层上，其中，设置在与沟槽的底表面具有共用表面的界面绝缘层上的部分铁电绝缘层和设置在与沟槽的侧壁表面具有共用表面的界面绝缘层上的部分铁电绝缘层在与底表面和侧壁表面垂直的方向上分别具有晶体生长面。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
