[发明专利]铁电存储器件

权利要求书

1.一种铁电存储器件，包括：

衬底；

界面绝缘层和铁电绝缘层，它们顺序地设置在沟槽的内壁表面上，沟槽形成在衬底中；以及

栅电极层，其设置在铁电绝缘层上，

其中，设置在与沟槽的底表面具有共用表面的界面绝缘层上的部分铁电绝缘层和设置在与沟槽的侧壁表面具有共用表面的界面绝缘层上的部分铁电绝缘层在与底表面和侧壁表面垂直的方向上分别具有晶体生长面。

2.根据权利要求1所述的铁电存储器件，其中，设置在与沟槽的底表面具有共用表面的界面绝缘层上的部分铁电绝缘层和设置在与沟槽的侧壁表面具有共用表面的界面绝缘层上的部分铁电绝缘层具有包括在晶系的相同晶面指数中的晶体生长面。

3.根据权利要求2所述的铁电存储器件，

其中，沟槽的底表面和侧壁表面具有立方晶系的{100}晶面族的晶面指数，以及

铁电绝缘层具有斜方晶系的晶面指数(100)。

4.根据权利要求1所述的铁电存储器件，

其中，界面绝缘层具有立方晶系的{100}晶面族的晶面指数。

5.根据权利要求1所述的铁电存储器件，

其中，设置在与沟槽的底表面具有共用表面的界面绝缘层上的部分铁电绝缘层具有在与沟槽的底表面垂直的方向上对齐的剩余极化取向，以及

设置在沟槽的侧壁表面上的部分铁电绝缘层具有在与沟槽的侧壁表面垂直的方向上对齐的剩余极化取向。

6.根据权利要求1所述的铁电存储器件，

其中，界面绝缘层包括结晶金属氧化物。

7.根据权利要求1所述的铁电存储器件，

其中，衬底包括单晶硅，

界面绝缘层包括氧化锆，以及

铁电绝缘层包括氧化铪。

8.根据权利要求7所述的铁电存储器件，

其中，氧化锆包括作为掺杂剂的钪Sc、钇Y、镧La、钆Gd和锕Ac中的至少一种。

9.根据权利要求7所述的铁电存储器件，

其中，铁电绝缘层具有1nm至4nm的厚度。

10.根据权利要求1所述的铁电存储器件，

其中，栅电极层包括从由钨W、钛Ti、铜Cu、铝Al、铂Pt、铱Ir、钌Ru、氮化钨、氮化钛、氮化钽、氧化铱、氧化钌、碳化钨、碳化钛、硅化钨、硅化钛和硅化钽组成的组中选择的至少一种。

11.根据权利要求1所述的铁电存储器件，

还包括设置在衬底中、沟槽的相对侧上的源极区和漏极区。

12.一种铁电存储器件，包括：

衬底，其包括形成在其中的沟槽，沟槽具有底表面和侧壁表面，其中，沟槽的底表面和侧壁表面具有相同晶面族的晶面；

铁电绝缘层，其在沟槽的底表面和侧壁表面上具有相同的晶体生长面；以及

栅电极层，其设置在铁电绝缘层上，

其中，设置在沟槽的底表面上的部分铁电绝缘层具有在与沟槽的底表面垂直的方向上对齐的剩余极化取向，以及

设置在沟槽的侧壁表面上的部分铁电绝缘层具有在与沟槽的侧壁表面垂直的方向上对齐的剩余极化取向。

13.根据权利要求12所述的铁电存储器件，

其中，设置在沟槽的底表面上的部分铁电绝缘层和设置在沟槽的侧壁表面上的部分铁电绝缘层在与沟槽的底表面和侧壁表面垂直的方向上分别具有晶体生长面。

14.根据权利要求12所述的铁电存储器件，还包括设置在沟槽的底表面和侧壁表面与铁电绝缘层之间的结晶缓冲层。

15.根据权利要求14所述的铁电存储器件，

其中，结晶缓冲层包括金属氧化物。